Electron Source
WO2009008399
Art A1
15. Januar 2009
Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009008399
- Aktenzeichen
- EP08777934
- Anmeldetag
- 7. Juli 2008
- Veröffentlichung
- 15. Januar 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01J1/308H01J1/30
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
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