Dielectric Charge-Trapping Materials Having Doped Metal Sites

WO2009009260 Art A2 15. Januar 2009

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009009260
Aktenzeichen: EP08771297
Anmeldetag: 18. Juni 2008
Veröffentlichung: 15. Januar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/70H01L21/82

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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