Semiconductor device, and its manufacturing method

WO2009011164 Art A1 22. Januar 2009

Anmelder: Renesas Technology Corp. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009011164
Aktenzeichen: EP08764381
Anmeldetag: 20. Mai 2008
Veröffentlichung: 22. Januar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G01N27/414G01N27/30

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Technology Corp.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Technology

Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.

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Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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