Method for producing group iii nitride single crystal

WO2009011407 Art A1 22. Januar 2009

Anmelder: NGK Insulators, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009011407
Aktenzeichen: EP08778259
Anmeldetag: 11. Juli 2008
Veröffentlichung: 22. Januar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C30B19/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NGK Insulators, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NGK Insulators

Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von