Method and apparatus for depositing nitride film

WO2009014099 Art A1 29. Januar 2009

Anmelder: National University Corporation Nagaoka University, Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009014099
Aktenzeichen: EP08791359
Anmeldetag: 18. Juli 2008
Veröffentlichung: 29. Januar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/34C23C16/44C30B29/38H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: National University Corporation Nagaoka University
Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von