Substrate temperature measuring apparatus and substrate temperature measuring method
WO2009014111
Art A1
29. Januar 2009
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009014111
- Aktenzeichen
- EP08791398
- Anmeldetag
- 22. Juli 2008
- Veröffentlichung
- 29. Januar 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G01J5/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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