Mems sensor, and mems sensor manufacturing method

WO2009014118 Art A1 29. Januar 2009

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009014118
Aktenzeichen: EP08791415
Anmeldetag: 22. Juli 2008
Veröffentlichung: 29. Januar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H04R19/04B81B3/00B81B7/02B81C1/00H01L29/84H04R31/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Nachrichtentechnik & Telekommunikation

Vertreten von