A plasma processing method for forming a film and an electronic component manufactured by the method

WO2009014741 Art A2 29. Januar 2009

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009014741
Aktenzeichen: EP08794731
Anmeldetag: 24. Juli 2008
Veröffentlichung: 29. Januar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/50H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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