Programming Multilevel Cell Memory Arrays

WO2009015312 Art A1 29. Januar 2009

Anmelder: Micron Technology, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009015312
Aktenzeichen: EP08796590
Anmeldetag: 25. Juli 2008
Veröffentlichung: 29. Januar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/04G11C16/00G11B20/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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