Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtainable therewith

WO2009016437 Art A1 5. Februar 2009

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009016437
Aktenzeichen: EP07849294
Anmeldetag: 1. August 2007
Veröffentlichung: 5. Februar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8247H01L27/105

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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