Multilayer semiconductor device

WO2009017070 Art A1 5. Februar 2009

Anmelder: Nikon Corporation, Okamoto, Kazuya 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009017070
Aktenzeichen: EP08791686
Anmeldetag: 25. Juli 2008
Veröffentlichung: 5. Februar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L25/065H01L25/07H01L25/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Nikon Corporation
Okamoto, Kazuya
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nikon

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio. Nikon entwickelt optische Geräte und Präzisionstechnik, darunter Kameras, Objektive, Mikroskope sowie Lithografie- und Messsysteme für die Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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