High-strength columnar crystal silicon and plasma etching device part formed by the high-strength columnar crystal silicon
WO2009017221
Art A1
5. Februar 2009
Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009017221
- Aktenzeichen
- EP08792076
- Anmeldetag
- 1. August 2008
- Veröffentlichung
- 5. Februar 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/3065C01B33/02C30B29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mitsubishi Materials Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Materials
Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.
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