Method for forming a semiconductor device having abrupt ultra shallow epi-tip regions

WO2009017997 Art A1 5. Februar 2009

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009017997
Aktenzeichen: EP08782129
Anmeldetag: 21. Juli 2008
Veröffentlichung: 5. Februar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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