Low-temperature formation of polycrystalline semiconductor films via enhanced metal-induced crystallization

WO2009018472 Art A1 5. Februar 2009

Anmelder: The Regents of the University of California 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009018472
Aktenzeichen: EP08796980
Anmeldetag: 31. Juli 2008
Veröffentlichung: 5. Februar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/94

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Regents of the University of California
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of California

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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