Methods of fabricating dual fin structures and semiconductor device structures with dual fin structures

WO2009018486 Art A1 5. Februar 2009

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009018486
Aktenzeichen: EP08796997
Anmeldetag: 31. Juli 2008
Veröffentlichung: 5. Februar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/80

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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