Two-port resistance switch element and semiconductor device

WO2009019980 Art A1 12. Februar 2009

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009019980
Aktenzeichen: EP08791433
Anmeldetag: 23. Juli 2008
Veröffentlichung: 12. Februar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06B82B1/00C01B31/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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