Power adjusting method, method for manufacturing silicon epitaxial wafer, and susceptor
WO2009020023
Art A1
12. Februar 2009
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009020023
- Aktenzeichen
- EP08791888
- Anmeldetag
- 30. Juli 2008
- Veröffentlichung
- 12. Februar 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
1.022 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.