Semiconductor element and method for production of semiconductor element

WO2009020183 Art A1 12. Februar 2009

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2009020183
Aktenzeichen
EP08827065
Anmeldetag
7. August 2008
Veröffentlichung
12. Februar 2009
Rechtsraum
WO
IPC
H01L33/00C01G9/00C23C14/08H01L21/363
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Rohm Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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