Semiconductor element and method for production of semiconductor element
WO2009020183
Art A1
12. Februar 2009
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009020183
- Aktenzeichen
- EP08827065
- Anmeldetag
- 7. August 2008
- Veröffentlichung
- 12. Februar 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/00C01G9/00C23C14/08H01L21/363
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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