Integrated circuit fabrication process for a high melting temperature silicide with minimal post-laser annealing dopant deactivation

WO2009020511 Art A1 12. Februar 2009

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009020511
Aktenzeichen: EP08794527
Anmeldetag: 16. Juli 2008
Veröffentlichung: 12. Februar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: B23K26/02H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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