Method using low temperature wafer bonding to fabricate transistors with heterojunctions of si(ge) to iii-n materials

WO2009020678 Art A2 12. Februar 2009

Anmelder: The Regents of the University of California 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009020678
Aktenzeichen: EP08827178
Anmeldetag: 1. Mai 2008
Veröffentlichung: 12. Februar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/30H01L29/778H01L29/737

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Regents of the University of California
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of California

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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