Method and circuit for preventing high voltage memory disturb

WO2009020718 Art A1 12. Februar 2009

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009020718
Aktenzeichen: EP08771867
Anmeldetag: 25. Juni 2008
Veröffentlichung: 12. Februar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G11C7/20G11C7/24G11C16/30

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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