Compositions and methods for substantially equalizing rates at which material is removed over an area of a structure or film that includes recesses or crevices

WO2009021005 Art A1 12. Februar 2009

Anmelder: Micron Technology, Inc., Sinha, Nishant 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009021005
Aktenzeichen: EP08782635
Anmeldetag: 6. August 2008
Veröffentlichung: 12. Februar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: C09K13/00H01L21/302

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Micron Technology, Inc.
Sinha, Nishant
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Farben, Klebstoffe & Brennstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von