Dotiertes Halbleitermaterial und dessen Verwendung

WO2009021663 Art A1 19. Februar 2009

Anmelder: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009021663
Aktenzeichen: EP08785385
Anmeldetag: 6. August 2008
Veröffentlichung: 19. Februar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L51/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Fraunhofer-Gesellschaft

Deutsche gemeinnützige Forschungsorganisation mit Sitz in München. Betreibt anwendungsorientierte Forschung in Technik und Naturwissenschaften über zahlreiche Institute für Industrie und Gesellschaft.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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