Vapor-phase epitaxial growth apparatus and vapor-phase epitaxial growth method
WO2009022451
Art A1
19. Februar 2009
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009022451
- Aktenzeichen
- EP08790301
- Anmeldetag
- 30. Juli 2008
- Veröffentlichung
- 19. Februar 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/205H01L21/316
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Vertreten von
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