Mos transistor and semiconductor integrated circuit device using the same

WO2009022509 Art A1 19. Februar 2009

Anmelder: Mitsumi Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009022509
Aktenzeichen: EP08791055
Anmeldetag: 10. Juli 2008
Veröffentlichung: 19. Februar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/3205H01L23/52

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Mitsumi Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsumi Electric Co., Ltd.

Japanischer Hersteller elektronischer Bauteile und Baugruppen wie Steckverbinder, Sensoren und optische Laufwerke, tätig in der Unterhaltungselektronik und im Automobilbereich. Sitz in Japan, Teil der MinebeaMitsumi-Gruppe.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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