Fullerene-based flash memory device and method of fabricating the same

WO2009022773 Art A1 19. Februar 2009

Anmelder: Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009022773
Aktenzeichen: EP08712366
Anmeldetag: 5. Februar 2008
Veröffentlichung: 19. Februar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University

Die Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University ist die Patentverwertungseinrichtung der südkoreanischen Hanyang University in Seoul. Das Portfolio deckt vor allem Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Medizintechnik und Gesundheit ab, ergänzt um Nachrichtentechnik und Software. Anmeldungen laufen kontinuierlich seit 2002.

414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von