Voltage protection circuit for thin oxide transistors, and memory device and processor-based system using same

WO2009023021 Art A1 19. Februar 2009

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009023021
Aktenzeichen: EP07840875
Anmeldetag: 10. August 2007
Veröffentlichung: 19. Februar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G05F1/10G05F1/573G11C5/14G11C7/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Steuerungs- & Regelungstechnik

Vertreten von