Method of wafer level transient sensing, threshold comparison and arc flag generation/deactivation
WO2009023133
Art A1
19. Februar 2009
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009023133
- Aktenzeichen
- EP08795144
- Anmeldetag
- 8. August 2008
- Veröffentlichung
- 19. Februar 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C14/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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