System and method for auto-power gating synthesis for active leakage reduction

WO2009023651 Art A2 19. Februar 2009

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009023651
Aktenzeichen: EP08797652
Anmeldetag: 11. August 2008
Veröffentlichung: 19. Februar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G06F17/50

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Software & Datenverarbeitung

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