Silicon single crystal wafer for igbt, process for producing silicon single crystal wafer for igbt, and method for ensuring electric resistivity of silicon single crystal wafer for igbt

WO2009025337 Art A1 26. Februar 2009

Anmelder: SUMCO Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009025337
Aktenzeichen: EP08792621
Anmeldetag: 21. August 2008
Veröffentlichung: 26. Februar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/06H01L21/261H01L21/322H01L21/336H01L29/739H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMCO Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumco

Sumco ist ein japanischer Hersteller von Siliziumwafern für die Halbleiterindustrie. Das Patentportfolio konzentriert sich entsprechend auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Metallurgie- und Fertigungstechnik. Anmeldungen sind von 2000 bis in die Gegenwart belegt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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