Magnetic Element Having Low Saturation Magnetization

WO2009026249 Art A1 26. Februar 2009

Anmelder: Grandis, Inc., Renesas Technology Corp. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2009026249
Aktenzeichen
EP08798127
Anmeldetag
18. August 2008
Veröffentlichung
26. Februar 2009
Rechtsraum
WO
IPC
G11C11/15G11B5/127
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Grandis, Inc.
Renesas Technology Corp.
Land
🇺🇸 USA
🇯🇵 Renesas Technology

Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.

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