Ion implantation device, substrate clamping mechanism, and ion implantation method

WO2009028065 Art A1 5. März 2009

Anmelder: Fujitsu Microelectronics Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009028065
Aktenzeichen: EP07806332
Anmeldetag: 30. August 2007
Veröffentlichung: 5. März 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265H01J37/317

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujitsu Microelectronics Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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