High-intensity light-emitting diode manufacturing method, light-emitting element substrate and high intensity light-emitting diode
WO2009028145
Art A1
5. März 2009
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009028145
- Aktenzeichen
- EP08828428
- Anmeldetag
- 14. August 2008
- Veröffentlichung
- 5. März 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/00H01L21/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
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