Semiconductor device manufacturing method

WO2009028314 Art A1 5. März 2009

Anmelder: Tokyo Electron Limited, National University Corporation Tohoku University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009028314
Aktenzeichen: EP08828492
Anmeldetag: 7. August 2008
Veröffentlichung: 5. März 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/31C23C16/511H01L21/3065H05H1/46

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Tokyo Electron Limited
National University Corporation Tohoku University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von