Composition for resist lower layer film formation for lithography and process for producing semiconductor device

WO2009028511 Art A1 5. März 2009

Anmelder: Nissan Chemical Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009028511
Aktenzeichen: EP08828541
Anmeldetag: 26. August 2008
Veröffentlichung: 5. März 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11G03F7/26

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nissan Chemical Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissan Chemical Corporation

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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