Silicon single crystal wafer for igbt, method for manufacturing silicon single crystal wafer for igbt and method for assuring resistivity of silicon single crystal wafer for igbt

WO2009028658 Art A1 5. März 2009

Anmelder: SUMCO Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009028658
Aktenzeichen: EP08828316
Anmeldetag: 29. August 2008
Veröffentlichung: 5. März 2009
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/06C30B31/20C30B33/02H01L21/261H01L21/322H01L29/739H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMCO Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumco

Sumco ist ein japanischer Hersteller von Siliziumwafern für die Halbleiterindustrie. Das Patentportfolio konzentriert sich entsprechend auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Metallurgie- und Fertigungstechnik. Anmeldungen sind von 2000 bis in die Gegenwart belegt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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