Terminal structures of an ion implanter having insulated conductors with dielectric fins

WO2009029560 Art A1 5. März 2009

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009029560
Aktenzeichen: EP08798579
Anmeldetag: 25. August 2008
Veröffentlichung: 5. März 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01J37/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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