Gate replacement with top oxide regrowth for the top oxide improvement

WO2009029607 Art A1 5. März 2009

Anmelder: Spansion LLC, Lee, Chungho, Kinoshita, Hiroyuki, Chang, Kuo-Tung, Chang, Chi, Wu, Huaqiang 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009029607
Aktenzeichen: EP08798683
Anmeldetag: 26. August 2008
Veröffentlichung: 5. März 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/792H01L29/423H01L21/8246H01L21/28H01L29/788H01L21/3115H01L21/314H01L21/316

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Spansion LLC
Lee, Chungho
Kinoshita, Hiroyuki
Chang, Kuo-Tung
Chang, Chi
Wu, Huaqiang
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Spansion

Spansion war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der auf Flash-Speicher spezialisiert war und später in Cypress Semiconductor aufging. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik, ergänzt um Software. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2014.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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