Substrate for crystal growth and method for crystal growth using the substrate
WO2009031332
Art A1
12. März 2009
Anmelder: National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009031332
- Aktenzeichen
- EP08722240
- Anmeldetag
- 11. März 2008
- Veröffentlichung
- 12. März 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/16C30B1/02C30B29/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute for Materials Science
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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