Ferromagnetic Tunnel Junction Element Having (fe, Co, Ni)sib Free Layer

WO2009031387 Art A1 12. März 2009

Anmelder: FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009031387
Aktenzeichen: EP08792388
Anmeldetag: 12. August 2008
Veröffentlichung: 12. März 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L43/08H01F10/16H01F10/32H01L21/8246H01L27/105H01L29/82

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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