Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2009031482
Art A1
12. März 2009
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009031482
- Aktenzeichen
- EP08792807
- Anmeldetag
- 25. August 2008
- Veröffentlichung
- 12. März 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L23/29G06K19/07G06K19/077H01L21/02H01L21/336H01L21/56H01L23/31H01L27/12H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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