Manufacturing method of semiconductor laser element
WO2009031534
Art A1
12. März 2009
Anmelder: Hamamatsu Photonics K.K. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009031534
- Aktenzeichen
- EP08829760
- Anmeldetag
- 2. September 2008
- Veröffentlichung
- 12. März 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01S5/02B23K26/38B23K26/40H01L21/301B23K101/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hamamatsu Photonics K.K.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hamamatsu Photonics
Japanisches Unternehmen für Photonik mit Sitz in Hamamatsu, spezialisiert auf Photodetektoren, Bildsensoren, Laser und optische Messtechnik für Wissenschaft und Industrie.
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