Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

WO2009031583 Art A1 12. März 2009

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009031583
Aktenzeichen: EP08829477
Anmeldetag: 3. September 2008
Veröffentlichung: 12. März 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336H01L51/05H01L51/30H01L51/40

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von