A cmos device having gate insulation layers of different type and thickness and method of forming the same
WO2009032230
Art A2
12. März 2009
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009032230
- Aktenzeichen
- EP08795736
- Anmeldetag
- 30. August 2008
- Veröffentlichung
- 12. März 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8234H01L21/8238H01L27/088H01L27/092
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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Fachgebiete
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