Method of providing patterned embedded conducive layer using laser aided etching of dielectric build-up layer

WO2009032390 Art A2 12. März 2009

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009032390
Aktenzeichen: EP08829366
Anmeldetag: 25. Juni 2008
Veröffentlichung: 12. März 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/027H01L21/302

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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