Method for designing input circuitry for transistor power amplifier

WO2009032415 Art A1 12. März 2009

Anmelder: Raytheon Company, Mallavarpu, Raghu 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009032415
Aktenzeichen: EP08796348
Anmeldetag: 21. Juli 2008
Veröffentlichung: 12. März 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H03F1/56H03F3/193H03H7/38H03H11/28G01R27/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Raytheon Company
Mallavarpu, Raghu
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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