Method to fabricate adjacent silicon fins of differing heights
WO2009032576
Art A2
12. März 2009
Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009032576
- Aktenzeichen
- EP08798587
- Anmeldetag
- 25. August 2008
- Veröffentlichung
- 12. März 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8244H01L27/11
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Intel Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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