Method to reduce residual sti corner defects generated during spe in the fabrication of nano-scale cmos transistors using dsb substrate and hot technology
WO2009032582
Art A1
12. März 2009
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009032582
- Aktenzeichen
- EP08798604
- Anmeldetag
- 25. August 2008
- Veröffentlichung
- 12. März 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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