Thin gate structure for memory cells and methods for forming the same
WO2009032606
Art A2
12. März 2009
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2009032606
- Aktenzeichen
- EP08798650
- Anmeldetag
- 25. August 2008
- Veröffentlichung
- 12. März 2009
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L27/10G11C11/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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