Process for producing silicic coating, silicic coating and semiconductor device

WO2009034596 Art A1 19. März 2009

Anmelder: Fujitsu Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009034596
Aktenzeichen: EP07805836
Anmeldetag: 10. September 2007
Veröffentlichung: 19. März 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/312H01L21/3205H01L21/768H01L23/52H01L23/522

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujitsu Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

Japanisches Unternehmen für Informationstechnik, das Computer, Server, Netzwerktechnik sowie IT-Dienstleistungen und Softwarelösungen entwickelt und anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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